Notice: Undefined offset: 6 in /var/www/www-root/data/www/374.ru/tpl_text/text_picture.php on line 73
 |
| а) Увеличенное изображение транзистора в общей структуре прибора. b) Сетка из нанотрубок |
Стало известно, что специалистам Ханьянского Университета в Сеуле удалось создать тонкопленочный транзистор сплетением углеродных нанотрубок на стеклянной подложке.
Волокна нанотрубок осаждаются при очень низкой температуре, что обеспечивает их высокую плотность. Таким образом, формирование электронных компонентов из нанотрубок не требует контроля каждой нанотрубки в отдельности, что значительно упрощает задачу ученых.
Углеродные нанотрубки наносятся химическим осаждением из парогазовой фазы. Предварительно подложка обрабатывается катализатором для избежания необходимости травления. После этого нанотрубки осаждаются в необходимые места подложки. Для увеличения адгезии нанотрубок данный процесс проводят при очень низких температурах.
Благодаря высокой плотности нанотрубок на подложке, они образуют проводящий слой, однако при пороге протекания (мера адгезии) выше критического, они становятся непроводящими. Именно поэтому нанотрубки проявляют полупроводниковые свойства. В будущем ученые планируют улучшить структуру транзистора, увеличив подвижность и разработав принципиально новую топологию нанесения нанотрубок.
«Это всего лишь начало длинного пути», - заявил Парк (Park), руководитель проекта, - для создания транзисторов высокого исполнения необходимо дальнейшее понижение температуры нанесения трубок. Но уже сейчас можно говорить о его месте в кандидаты новых электронных материалов».
Хотите прокомментировать?
Кроме того...
В Сулавеси обнаружены новые виды морских обитателей
Международная команда...
Генетики создали 12-головую медузу
Столь странное существо...
«Зеленая химия»: препараты в биоразрушаемых микрокапсулах
Метод, основанный на...
