 |
| Структура одного из веществ, демонстрирующих КМС. Изображение с сайта uni-hamburg.de. |
Брукхэвенские исследователи изучали один из таких материалов, кристаллический манганит со структурой перовскита. При помощи сканирующего туннельного микроскопа, встроенного в электронный микроскоп, исследуемый образец подвергался электрическому воздействию, а затем наблюдалась его реакция на атомном уровне.
Таким образом впервые было получено прямое доказательство того, что слабое электрическое воздействие может изменять форму кристаллической решетки, а также влиять на прохождение зарядов сквозь нее. Искажения решетки, сопровождающие движение носителя заряда, условно описываются как движение квазичастицы полярона. Исследователи увидели, как возникают и распадаются поляроны под воздействием переменного тока. По их мнению, соответствующие искажения решетки и являются основной причиной возникновения "сверхсопротивления".
Явление КМС может использоваться для создания новых микросхем, потребляющих мало энергии, в частности, "энергонезависимых" запоминающих устройств (компьютерной памяти, которая может сохранять информацию даже в выключенном состоянии).
Хотите прокомментировать?
Кроме того...
Феномен памяти крови и воды
Учёные не исключают, что народные представления о возможности сглаза имеют под собой реальное, научно аргументированное, основание...
Миллиардам людей угрожают климатические войны
Более чем сотне стран грозит политический хаос и массовые миграции в результате катастрофического глобального...
Разбрасывая попугаев
И одно попугайское крылышко, - кричал герой одного известного мультфильма и книги Григория Остера, измеряя удава. С одной стороны, хорошо, что...
